
Физики нашли способ создать память будущего из соединений урана
Исследователи обнаружили в оксителлуриде урана редкую атомную структуру, сочетающую свойства ферромагнетиков и антиферромагнетиков. Это случайное открытие, сделанное благодаря методам микроскопии высокого разрешения, обещает совершить прорыв в индустрии компьютерной памяти, позволив создавать устройства с принципиально новыми характеристиками скорости и надежности записи данных.
Доцент Техасского университета в Далласе Мэнке Лю наткнулся на уникальную сверхструктуру материала во время изучения кристалла, синтезированного коллегой из Вашингтонского университета Шэн Раном. Ранее оксителлурид урана (UOTe), известный науке с 60-х годов, не привлекал внимания специалистов, однако современная оптика позволила разглядеть в нем эффект хиральности — закрученное расположение атомов. Такая геометрия заставляет электроны двигаться необычным образом, наделяя кристалл двойным магнетизмом.
В современных жестких дисках доминируют ферромагнетики, обеспечивающие высокую емкость, тогда как антиферромагнетики ценятся за быстродействие и устойчивость к внешним полям. Материал, объединяющий оба подхода, способен устранить компромисс между скоростью и стабильностью хранения информации. Группа ученых из Гарварда под руководством Суян Сюй независимо подтвердила эти результаты. По расчетам физиков, подобные сверхрешетки могут скрываться в сотнях родственных соединений, что открывает широкий простор для разработки передовых накопителей следующего поколения.

Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!