Российские ученые создали транзисторы из дисульфида молибдена
Исследователи из МФТИ разработали технологию производства транзисторов, где вместо традиционного кремния используется двумерный дисульфид молибдена. Новый метод позволяет уменьшить толщину электронных компонентов до 0,65 нанометра и кратно повысить энергоэффективность чипов, открывая путь к созданию сверхкомпактных, гибких и прозрачных устройств нового поколения, которые меньше нагреваются при работе.
Главной технической преградой для внедрения дисульфида молибдена в промышленность оставалась хрупкость материала: при классическом вакуумном напылении электродов металл повреждал атомную структуру полупроводника. Команда МФТИ решила эту проблему с помощью метода атомно-слоевого осаждения. Между электродом и полупроводником ученые разместили изолирующую прослойку из диоксида титана толщиной в несколько атомов, сохранив целостность проводящего слоя.
Разработанный подход универсален и подходит для работы с другими двумерными материалами, включая селениды молибдена и вольфрама. По словам старшего научного сотрудника лаборатории атомно-слоевого осаждения МФТИ Романа Романова, это дает готовое решение для масштабирования технологии на реальных производственных линиях. Энергоэффективность таких транзисторов критически важна для вычислительных систем, работающих с искусственным интеллектом, где проблема высокого потребления энергии и перегрева чипов остается основным сдерживающим фактором развития.
Комментарии (0)
Пока нет комментариев. Будьте первым!